收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

“壹芯”做好二、三极管各式优质二、三极管选壹芯微

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微资讯中心 » 常见问题解答 » 场效应管的简单接法普及

场效应管的简单接法普及

关注列表来源:壹芯微发布日期 2020-11-16 浏览:-

场效应管的简单接法普及

场效应管的简单接法

举例说明,下图是一个通俗、简单的场效应管驱动LED的电路图,左图为N沟道场效应管(型号IRF630) , 右图为P沟道场效应管(型号IRF9640) , 电源电压12V ,具体到实际电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中可以初步了解场效应管做开关电路的接法。下面简要说明。

场效应管的简单接法

场效应管,英文缩写MOSFET ,一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同, MOSFET分为N沟道型(上图)和P沟道型(下图) , 如下面图所示,一般使用N沟道型可带来便捷性。

场效应管的简单接法

场效应管的简单接法

N沟道MOSFET管用法: (栅极G高电平D与S间导通,栅极G低电平D与S间截止, P沟道与之相反);栅极/基极(G)接控制信号,源极(S)接负载电源负极(模拟地) ,漏极(D)接负载输出负极,负载输入正极直接接负载电源正极。

当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压(通常为1.2V ) , 源极(S)到漏极(D)导通,导通电流很小,可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极,负载工作。

当栅极/基极(G)电压小于MOSFET管开启电压时,源极(S)到漏极(D)电阻极大,可以认为源极(S)到漏极([D)断路,则负载负极被负载电源正极拉高,负载不工作。( 这里只用最易理解的语言说说用法,事实上MOSFET的开启和关闭取决于栅极/基极(G)和源极(S)之间的正压差)

这样,我们只要控制MOSFET的栅极/基极(G)电压有无,即可控制负载的工作与不工作,形成一个开关效应。MOSFET管的开关时间非常快,一般在纳秒极 ,你就认为是瞬间开启/关闭就可以了,在MOSFET管内部是没有延迟的。

由于MOSFET管的快速开关特性,使用高频PWM方波信号对其栅极/基极(G)进行控制,可以在输出端获得超高速切换的平均电压,这个平均电压取决于PWM波的占空比。这就是UBEC或者电调等模型设备的降压和调速原理。这种高频开关降压方法几乎没有能量损失,效率一般在95%以上。

场效应管的简单接法P沟道MOSFET管用法: (栅极G高电平D与S间截止,栅极G低电平D与S间导通);栅极/基极(G)接控制信号,源极(S)接负载电源正极,漏极(D)接负载输入正极,负载输出负极直接接负载电源负极(模拟地)。

当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压(负载电源电压) 1.2V以上时,源极(S)到漏极(D)导通,导通电流很小,可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载正极被连通负载电源正极,负载工作。当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压(负载电源电压)不足1.2V ,或栅极/基极(G)电压大于等于源极(S)电压时,源极(S)到漏极(D)电阻极大,可以认为源极(S)到漏极(D)断路,则负载不工作。

MOSFET场效应管做为快速开关元件的用法就简单说到这里,复杂理论先不说它,知道怎么用就行了。如果仅仅是做为电子开关使用,也可以简单用三极管代替MOSFET管, 只不过三极管的效率、开关速度、开关可靠性远不如MOSFET管。

场效应管有共源、共漏接法(与晶体管放大电路共射、共集接法相对应)。栅极/基极(G)接控制信号,源极(S)接负载电源负极(模拟地),漏极(D)接负载输出负极,负载输入正极直接接负载电源正极。

场效应管的简单接法

当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压(通常为1.2V),源极(S)到漏极(D)导通,导通电流很小,可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极,负载工作。当栅极/基极(G)电压小于MOSFET管开启电压时,源极(S)到漏极(D)电阻极大,可以认为源极(S)到漏极(D)断路,则负载负极被负载电源正极拉高,负载不工作。

扩展资料:

场效应管使用注意事项

(1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

(2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接入电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等。

(3)MOS场效应管由于输入阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOS场效应管放入塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。

(4)为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉。

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍

推荐阅读

【本文标签】:二极管快恢复二极管整流二极管桥堆肖特基二极管

【责任编辑】:壹芯微 版权所有://www.nb-hsd.com/转载请注明出处

最新资讯

1MOS管知识-MOS晶体管的恒流性偏移详情分析

2场效应管知识详解-场效应管怎么导通,有哪些要点

3MOS管保护措施技术详情解析

4MOSFET知识-关于MOSFET驱动电阻的选择,详情解析

5场效应管的简单接法普及

6MOS管和二极管,三极管之间有什么联系以及区别

7如何快速判别MOS管的好坏,类型与引脚

8MOS管必看知识-MOS管正确选择知识普及

9场效应管使用知识-场效应管的正确使用详解

10双栅MOS场效应管特性以及应用,图文知识解析

全国服务热线13534146615

地 址/Address

工厂地址:深圳市光明新区公明屋园路138号城德轩工业园E栋
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579534

扫一扫!

合乐888注册登录_合乐888登陆电脑_合乐888登录客户端 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号

sbf123胜博发游戏优发娱乐官网手机版优发娱乐官网手机版